2N4123_07 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N4123_07
الصانع: Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N412
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1 - 2N4120
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20MA I(D) | TO-72 - 2N4121
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106 - 2N4122
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106 - 2N4123
General Purpose Transistors(NPN Silicon) - 2N4123/D
General Purpose Transistor - NPN - 2N412301
General Purpose Amplifier - 2N412307
General Purpose Transistors Silicon - 2N4123RLRA
General Purpose Transistor - NPN - 2N4123RLRM
General Purpose Transistors Silicon - 2N4123_01
NPN General Purpose Amplifier - 2N4123_07
General Purpose Transistors NPN Silicon - 2N4124
general purpose transistor - 2N4124/E6
BJT - 2N4124/E7
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-226AA