2N4123 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N4123
الصانع: Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N410
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1 - 2N4100
N-CHANNEL JFET - 2N4101
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS - 2N4103
12.5A SILICON CONTROLLED RECTIFIERS - 2N4104
Bipolar Device - 2N411
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-40 - 2N4111
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package - 2N4112
Bipolar Device Hermetically sealed Metal Package. - 2N4113
Bipolar Device Hermetically sealed Metal Package - 2N4114
Bipolar Device Hermetically sealed Metal Package - 2N4115
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 - 2N4116
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-10 - 2N4117
N-Channel JFET General Purpose Amplifier - 2N4117A
N-Channel JFET General Purpose Amplifier - 2N4118
N-Channel JFET General Purpose Amplifier