FS10AS-3 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: FS10AS-3
الصانع: MITSUBISHI[Mitsubishi Electric Semiconductor]
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- FS10AS-06
POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING - FS10AS-06-T13
High-Speed Switching Power - FS10AS-2
POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING - FS10AS-2-T13
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET - FS10AS-3
HIGH-SPEED SWITCHING - FS10AS-3-T13
High-Speed Switching Power - FS10AS03
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10AS06
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10AS2
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10AS3
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10ASH-06
MITSUBISHI POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING - FS10ASH03
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10ASH06
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10ASH2
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252 - FS10ASH3
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252