CSD667AB لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: CSD667AB
الصانع:
التعبئة:
وصف: 100v1a237
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
CSD667AB
- CSD667
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS - CSD667A
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS - CSD667AB
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 - CSD667AC
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 - CSD667B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 - CSD667C
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 - CSD667D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237 - CSD669
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669A
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669AB
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669AC
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669C
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 - CSD669D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126