CM200DY-28H لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: CM200DY-28H
الصانع: Mitsubishi Electric Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- CM200DY-12H
HIGH POWER SWITCHING INSULATED TYPE - CM200DY-12NF
HIGH POWER SWITCHING - CM200DY-12NF09
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING - CM200DY-24
HIGH POWER SWITCHING INSULATED TYPE - CM200DY-24A
HIGH POWER SWITCHING - CM200DY-24H
HIGH POWER SWITCHING INSULATED TYPE - CM200DY-24NF
MITSUBISHI IGBT MODULES - CM200DY-24NF09
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING - CM200DY-28H
HIGH POWER SWITCHING INSULATED TYPE - CM200DY-34A
HIGH POWER SWITCHING - CM200DY-34A09
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING - CM200DY12E
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) - CM200DY12H
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) - CM200DY24E
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) - CM200DY24H
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)