2SC5336-T1 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SC5336-T1
الصانع: NEC
التعبئة: New power mini-packa
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SC5336
EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY DISTORTION AMPLIFIER - 2SC5336(NE856M02)
Discrete - 2SC5336-T1
High-gain transistor - 2SC5336RE
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 - 2SC5336RE-T1
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 - 2SC5336RF
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 - 2SC5336RF-T1
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 - 2SC5336RH
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 - 2SC5336RH-T1
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243