2SC511007 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SC511007
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SC5110
APPLICATION - 2SC511007
Silicon Epitaxial Planar Type Application - 2SC5110O
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70 - 2SC5110Y
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SC-70 - 2SC5110_07
Silicon NPN Epitaxial Planar Type For VCO Application - 2SC5111
APPLICATION - 2SC5111FT
VHF~UHF BAND NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS - 2SC5111FTO
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-416 - 2SC5111FTY
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-416 - 2SC5111O
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | TO-236VAR - 2SC5111Y
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 60MA I(C) | TO-236VAR - 2SC5112
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE WITH AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE - 2SC5113
TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE WITH AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE - 2SC5114
TRANSISTORS - 2SC5115
TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-263AB