2SA512 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SA512
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SA500
(2SAxxx) Transistors - 2SA503
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39 - 2SA504
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39 - 2SA505
SILICON EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS) - 2SA509
(2SAxxx) Transistors - 2SA509GTM
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 - 2SA509TM
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 - 2SA510
SILICON EPITAXIAL TYPE - 2SA512
SILICON EPITAXIAL TYPE - 2SA52
- 2SA532
Medium Power Amplifiers Switches - 2SA537
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-5 - 2SA537B
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | TO-92 - 2SA537C
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | TO-92 - 2SA539
FREQUENCY AMPLIFIER