2N2017 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N2017
الصانع: CENTRAL[Central Semiconductor Corp]
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N2000
alloy-junction germanium transistors - 2N2001
alloy-junction germanium transistors - 2N2002
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2003
TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2004
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2005
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2006
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2007
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 - 2N2008
TRANSISTOR | BJT | NPN | 110V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 - 2N2015
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36 - 2N2016
TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36 - 2N2017
SMALL SIGNAL TRANSISTORS - 2N2018
TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 - 2N2019
TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10 - 2N2020
TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 2A I(C) | STR-10