2N1011 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N1011
الصانع: Semitronics
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N1008
alloy-junction germanium transistors - 2N1008A
alloy-junction germanium transistors - 2N1008B
alloy-junction germanium transistors - 2N1011
Germanium Transistors - 2N1015
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015A
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015C
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015E
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1015F
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-81 - 2N1016
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1016A
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1016B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82 - 2N1016C
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-82