BF1109WR لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: BF1109WR
الصانع: Philips Semiconductors
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- BF1100
Dual-gate MOS-FETs - BF1100/R
Dual-Gate MOS-FETs - BF1100/WR
Dual-Gate MOS-FETs - BF11001
From datasheet system - BF1100R
Dual-gate MOS-FETs - BF1100RT/R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143R - BF1100T/R
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 14V V(BR)DSS | 30MA I(D) | SOT-143 - BF1100WR
Dual-gate MOS-FET - BF1101
N-channel dual-gate MOS-FETs - BF1101R
N-channel dual-gate MOS-FETs - BF1101WR
N-channel dual-gate MOS-FETs - BF1102
Dual N-channel dual gate - BF1102R
Dual N-channel dual gate - BF1105
N-channel dual-gate MOS-FETs - BF1105R
N-channel dual-gate MOS-FETs