2SK3117_06 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SK3117_06
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف: 8722
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SK311
SILICON N-CHANNEL (HIGH SPEED POWER SWITCHING) - 2SK3110
SWITCHING N-CHANNEL POWER INDUSTRIAL - 2SK3111
Field Effect Transistor - 2SK3111-S
SWITCHING N-CHANNEL POWER INDUSTRIAL - 2SK3111-Z
MOS FET - 2SK3111-ZJ
SWITCHING N-CHANNEL POWER INDUSTRIAL - 2SK3112
Field Effect Transistor - 2SK3112-S
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL - 2SK3112-ZJ
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL - 2SK3112S
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262AA - 2SK3112ZJ
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-263AB - 2SK3113
Field Effect Transistor - 2SK3113-Z
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET - 2SK3113B
FIELD EFFECT TRANSISTOR - 2SK3113B(1)-S27-AY
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR