2SK118_07 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SK118_07
الصانع: Toshiba
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SK11
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6.5MA I(DSS) | TO-17 - 2SK1101
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET - 2SK1101-01M
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB - 2SK1101-01MR
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET - 2SK1101MR
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET - 2SK1102
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET - 2SK1102-01
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 - 2SK1102-01M
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR - 2SK1102-01MR
- 2SK1103
Silicon N-Channel Junction - 2SK1103O
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236 - 2SK1103P
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-236 - 2SK1103Q
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1MA I(DSS) | TO-236 - 2SK1103R
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | TO-236 - 2SK1104
Silicon N-Channel Junction