2SD669 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SD669
الصانع: Hitachi Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SD600
100V/120V, Low-Frequency Power Applications - 2SD600D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD600E
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD600F
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD600K
100V/120V, Low-Frequency Power Applications - 2SD600KD
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD600KE
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD600KF
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SD601
DIFFUSED JUNCTION MESA - 2SD601A
Silicon epitaxial planer type - 2SD601AQ
DIFFUSED JUNCTION MESA - 2SD601AR
DIFFUSED JUNCTION MESA - 2SD601AS
DIFFUSED JUNCTION MESA - 2SD601AX2
Silicon epitaxial planar type - 2SD601AYQ
DIFFUSED JUNCTION MESA