2SD1956 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SD1956
الصانع:
التعبئة:
وصف: 120v7a220
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
2SD1956
- 2SD1000
SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD - 2SD1000-T2
Silicon transistor - 2SD1000LK
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-243 - 2SD1000LL
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-243 - 2SD1000LM
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-243 - 2SD1001
SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD - 2SD1001-T1
Silicon transistor - 2SD1001-T2
Silicon transistor - 2SD1001EK
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-89 - 2SD1001EL
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-89 - 2SD1001EM
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-89 - 2SD1005
Silicon Epitaxia - 2SD1005-T2
Silicon transistor - 2SD1005BU
BJT - 2SD1005BV
BJT