2SC5551E لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SC5551E
الصانع: Sanyo Semicon Device
التعبئة:
وصف: 30v300ma243
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
2SC5551E
- 2SC5501
Epitaxial Planar Silicon Transistors - 2SC5501A
Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications - 2SC5502
High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications - 2SC5502-4
BJT - 2SC5502-5
BJT - 2SC5503
Low-Noise Wide-Band Amplifier Applications - 2SC5503-4
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-343R - 2SC5503-5
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-343R - 2SC5504
Band Low-Noise Amplifier Applications - 2SC5504-4
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-343R - 2SC5504-5
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-343R - 2SC5505
Silicon NPN epitaxial planar type - 2SC5506
Ultrahigh-Definition Display Horizontal Deflection Output Applications - 2SC5507
- 2SC5507(NE661M04)
Discrete