2SC4479 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SC4479
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SC400
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 - 2SC4000
- 2SC4000K
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR - 2SC4000L
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR - 2SC4000M
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-221VAR - 2SC4001
SILICON POWER TRANSISTOR - 2SC4001K
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 - 2SC4001L
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 - 2SC4001M
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 - 2SC4002
Triple Diffused Planar Silicon Transistor - 2SC4002D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 - 2SC4002E
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 - 2SC4003
Triple Diffused Planar Silicon Transistor - 2SC4003D
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-252 - 2SC4003E
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-252