2SC3114T لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SC3114T
الصانع:
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SC3101
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3102
TRANSISTOR,BJT,NPN,17V V(BR)CEO,18A I(C),SOT-160VAR - 2SC3103
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3104
EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER TRANSISTOR) - 2SC3105
EPITAXIAL PLANAR TYPE - 2SC3110
Silicon Transistor - 2SC3112
TRANSISTOR AUDIO AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS) - 2SC311207
Silicon Epitaxial Type process) Audio Amplifier Switching Applications - 2SC3112A
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 - 2SC3112B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-92 - 2SC3112_07
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Audio Amplifier and Switching Applications - 2SC3113
TRANSISTOR AUDIO AMPLFIER SWITCHING APPLICATIONS) - 2SC3113A
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SPAK - 2SC3113B
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SPAK - 2SC3114
High-VEBOAF Applications