2SB648 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SB648
الصانع: Hitachi
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SB600
Silicon Power Transistors - 2SB601
Silicon Power Transistors - 2SB601K
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB - 2SB601L
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB - 2SB601M
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB - 2SB605
SILICON TRANSISTOR - 2SB605K
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR - 2SB605L
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR - 2SB605M
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SPAKVAR - 2SB609
Silicon Power Transistors - 2SB613
Silicon Power Transistors - 2SB616
Silicon Power Transistors - 2SB621
Silicon epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) - 2SB621A
Silicon epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) - 2SB621AQ
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92