2SA966 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SA966
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SA900
SILICON EPITAXIAL PLANAR - 2SA900Q
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SA900R
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SA900S
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SA900T
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 - 2SA9012
OUTPUT AMPLIFIER POTABLE RADIOS CLASS PUSH PULL OPERATION - 2SA9015
LOW FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER - 2SA904
2SA904 2SA904A - 2SA904A
2SA904 2SA904A - 2SA905
2SA905 - 2SA907
2SA907 2SA908 2SA909 - 2SA908
2SA907 2SA908 2SA909 - 2SA909
2SA907 2SA908 2SA909 - 2SA912
EPITAXIAL PLANAR - 2SA913
EPITAXIAL PLANAR