2SA1933 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2SA1933
الصانع: Toshiba Semiconductor
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2SA10-10
Analog IC - 2SA100
DRIFT - 2SA1006
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR - 2SA1006A
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR - 2SA1006B
Silicon Power Transistors - 2SA1008
SILICON POWER TRANSISTOR - 2SA1008K
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1008L
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1008M
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1009
SILICON POWER TRANSISTORS - 2SA1009A
SILICON POWER TRANSISTORS - 2SA1009AH
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1009AJ
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1009AK
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB - 2SA1009AL
TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB