2N6667 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N6667
الصانع: MOSPEC[Mospec Semiconductor]
التعبئة:
وصف: 65w
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N660
- 2N6604
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-100VAR - 2N6605
SCRs - 2N6606
SCRs - 2N6607
SCRs - 2N6608
SCRs - 2N6609
Complementary Slllcon Powar Translstors - 2N6609**SPECIAL**
POWER TRANSISTOR - 2N661
alloy-junction germanium transistors - 2N6617
TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 10MA I(C) | MICRO-X - 2N6618
TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 10MA I(C) | SOT-100VAR - 2N6619
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236 - 2N662
alloy-junction germanium transistors - 2N6620
SILICON TRANSISTOR NOISE BROADBAND AMPLIFIER - 2N6621
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 25MA I(C) | MACRO-T