2N555501 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N555501
الصانع: ONSEMI
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N555
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 - 2N5550
high-voltage transistors - 2N5550/D
Amplifier Transistor NPN - 2N555000
Amplifier Transistor - 2N555007
Amplifier Transistors Silicon - 2N5550G
Amplifier Transistors Silicon - 2N5550RLRA
Amplifier Transistors - 2N5550RLRP
Amplifier Transistors - 2N5550RLRPG
Amplifier Transistors Silicon - 2N5550S
EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) - 2N5550_00
Amplifier Transistor - 2N5550_07
Amplifier Transistors NPN Silicon - 2N5551
General Purpose Amplifier - 2N5551-A-AB3-B
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR - 2N5551-A-AB3-K
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR