2N3858 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N3858
الصانع: GESS[GE Solid State]
التعبئة:
وصف:
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N380
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 - 2N3800DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3801DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3802DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3803
TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-71 - 2N3803DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3804
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-71 - 2N3804ADCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3804DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3805ADCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3805DCSM
Dual Bipolar Devices - 2N3806
Dual Transistors - 2N3806DCSM
PNP - 2N3807
Dual Transistors - 2N3807A
(2N3806 2N3811) Dual AMplifier Transistors