2N3583 لجنة التخطيط الاستراتيجي ، والدوائر ، وظيفة
الجزء الاسم: 2N3583
الصانع: MOSPEC Semiconductor
التعبئة:
وصف: 35w
دبابيس:
درجة الحرارة: دقيقة °C | ماكس °C
حجم: KB
- 2N35
TRANSISTOR | BJT | NPN | 8MA I(C) | TO-22VAR - 2N350
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 - 2N3500
Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity - 2N350004
Silicon Transistor - 2N3500L
Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity - 2N3500L04
Silicon Transistor - 2N3500L_04
Silicon NPN Transistor - 2N3500_04
Silicon NPN Transistor - 2N3501
BIPOLAR TRANSISTOR - 2N350104
Silicon Transistor - 2N3501CSM4
HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, TRANSISTOR HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE HIGH RELIABILITY APPLICATIONS - 2N3501DCSM
TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 150V V(BR)CEO | 300MA I(C) | LLCC - 2N3501L
Type 2N3501L Geometry 5620 Polarity - 2N3501TV
TRANSISTOR | BJT | NPN | 115V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-39 - 2N3501UB
Silicon Transistor